Banyak orang tidak menyadari bahwa peran industri memori sedang mengalami perubahan fundamental. Dulu, raksasa GPU Nvidia hanyalah pembeli besar memori, tetapi kini secara bertahap memasuki posisi yang lebih dalam di rantai industri: secara langsung terlibat dalam desain chip penyimpanan generasi berikutnya. Media Korea melaporkan bahwa Samsung telah menjalin kemitraan dengan Nvidia untuk mengembangkan memori NAND Flash generasi berikutnya. Memori di masa depan tidak lagi menjadi produk standar, melainkan komponen inti yang dirancang khusus untuk arsitektur AI.
(Apa yang berubah pada Vera Rubin Nvidia? Analisis era perang memori: SK Hynix, Samsung, Micron, SanDisk)
Nvidia mempercepat pengembangan chip dengan model AI hingga sepuluh ribu kali lipat
Sumber mengungkapkan bahwa tim riset dari Samsung Semiconductor Institute, Nvidia, dan Georgia Institute of Technology telah bersama-sama mengembangkan sebuah model AI bernama Physics-Informed Neural Operator (PINO). Sistem ini dapat digunakan untuk menganalisis kinerja perangkat memori NAND baru, dengan kecepatan lebih dari 10.000 kali lipat dibandingkan metode simulasi tradisional.
Dalam pengembangan semikonduktor, insinyur biasanya mengandalkan alat simulasi bernama TCAD (Technology Computer-Aided Design) untuk menguji desain chip. Namun, metode ini biasanya membutuhkan sekitar 60 jam per proses, yang secara serius membatasi efisiensi R&D. Tim peneliti menggabungkan hukum fisika dengan jaringan saraf agar AI dapat memahami perilaku fisik bahan dan perangkat, sehingga waktu simulasi dipersingkat menjadi kurang dari 10 detik. Hasil ini telah dipublikasikan secara internasional.
Senjata rahasia Samsung: NAND ferroelectric
Teknologi inti dari kolaborasi ini adalah sebuah teknologi penyimpanan baru yang disebut bahan ferroelectric. Karakteristik bahan ferroelectric adalah mampu mempertahankan keadaan polaritas muatan positif dan negatif tanpa input daya yang terus-menerus, sehingga dapat digunakan untuk menyimpan informasi dengan konsumsi daya yang sangat rendah. Samsung selalu menjadi pelopor utama di bidang ini. Pada akhir 2025, Samsung mempublikasikan penelitian di jurnal Nature yang menunjukkan bahwa konsumsi daya NAND ferroelectric dapat dikurangi sekitar 96% dibandingkan NAND tradisional.
Ini berarti bahwa di masa depan, sistem AI saat mengakses data secara massal akan mampu mengurangi konsumsi energi secara signifikan.
Apakah pabrik memori yang hanya memperbesar kapasitas tanpa meningkatkan teknologi akan tersingkir?
Kerja sama ini menandai bahwa kompetisi memori AI telah memasuki tahap baru. Dulu, Nvidia terutama mendukung GPU AI dengan membeli memori bandwidth tinggi (HBM) dan NAND. Kini, mereka memutuskan untuk mengembangkan memori khusus sendiri. Seiring pertumbuhan pesat model AI, arsitektur penyimpanan sendiri mulai menjadi bagian dari desain sistem AI. Mungkin di masa depan, chip memori tidak lagi sekadar komponen umum, melainkan “plugin arsitektur” yang dirancang khusus untuk sistem AI.
Menurut statistik dari Badan Kekayaan Intelektual Korea (KIPO), saat ini, 43,1% dari paten terkait ferroelectric di seluruh dunia berasal dari Korea, dengan Samsung menyumbang 27,8% secara sendiri.
Artikel ini berjudul “Nvidia Tidak Bisa Diam! Nvidia Berkolaborasi dengan Samsung dalam Pengembangan NAND Sendiri, Pabrik Memori yang Fokus pada Kapasitas Akan Tersingkir?” yang pertama kali muncul di News ABMedia.
Penafian: Informasi di halaman ini dapat berasal dari pihak ketiga dan tidak mewakili pandangan atau opini Gate. Konten yang ditampilkan hanya untuk tujuan referensi dan bukan merupakan nasihat keuangan, investasi, atau hukum. Gate tidak menjamin keakuratan maupun kelengkapan informasi dan tidak bertanggung jawab atas kerugian apa pun yang timbul akibat penggunaan informasi ini. Investasi aset virtual memiliki risiko tinggi dan rentan terhadap volatilitas harga yang signifikan. Anda dapat kehilangan seluruh modal yang diinvestasikan. Harap pahami sepenuhnya risiko yang terkait dan buat keputusan secara bijak berdasarkan kondisi keuangan serta toleransi risiko Anda sendiri. Untuk detail lebih lanjut, silakan merujuk ke
Penafian.
