Investing.com -- Navitas Semiconductor(纳斯达克股票代码:NVTS)股价跳涨20%,此前该公司宣布推出两款新型碳化硅MOSFET封装产品,专为AI数据中心和能源基础设施应用而设计。该公司推出了采用其第五代GeneSiC沟槽辅助平面SiC MOSFET技术平台的顶部冷却QDPAK封装和低轮廓TO-247-4L封装。这两款产品均具有1200 V电压额定值,针对高功率密度应用。第五代技术在RDS,ON × QGD品质因数方面实现了35%的改进,QGD/QGS比率较前几代产品提高了约25%。该技术的阈值电压大于3 V,可防止寄生导通。QDPAK封装的占地面积为15毫米 x 21毫米,高度为2.3毫米,可通过封装顶部散热。该设计支持高达1000 VRMS的应用,爬电距离为5毫米。低轮廓TO-247-4-LP封装为高度受限的应用(如AI数据中心电源)提供了更小的垂直占地面积。该封装采用非对称引线设计,旨在提高制造公差。公司发布了四款初始产品,导通电阻值范围为6.5 mΩ至12 mΩ,额定电压均为1200 V。这些产品有QDPAK和TO-247-4-LP两种封装可供选择。Navitas公司SiC业务部门副总裁兼总经理Paul Wheeler表示,新封装是为了响应客户在有限空间内实现更高功率密度的需求。_本文由人工智能协助翻译。更多信息，请参见我们的使用条款。_
Navitas Semiconductor股价因发布新SiC产品而飙升20%
Investing.com – Navitas Semiconductor(纳斯达克股票代码:NVTS)股价跳涨20%,此前该公司宣布推出两款新型碳化硅MOSFET封装产品,专为AI数据中心和能源基础设施应用而设计。
该公司推出了采用其第五代GeneSiC沟槽辅助平面SiC MOSFET技术平台的顶部冷却QDPAK封装和低轮廓TO-247-4L封装。这两款产品均具有1200 V电压额定值,针对高功率密度应用。
第五代技术在RDS,ON × QGD品质因数方面实现了35%的改进,QGD/QGS比率较前几代产品提高了约25%。该技术的阈值电压大于3 V,可防止寄生导通。
QDPAK封装的占地面积为15毫米 x 21毫米,高度为2.3毫米,可通过封装顶部散热。该设计支持高达1000 VRMS的应用,爬电距离为5毫米。
低轮廓TO-247-4-LP封装为高度受限的应用(如AI数据中心电源)提供了更小的垂直占地面积。该封装采用非对称引线设计,旨在提高制造公差。
公司发布了四款初始产品,导通电阻值范围为6.5 mΩ至12 mΩ,额定电压均为1200 V。这些产品有QDPAK和TO-247-4-LP两种封装可供选择。
Navitas公司SiC业务部门副总裁兼总经理Paul Wheeler表示,新封装是为了响应客户在有限空间内实现更高功率密度的需求。
本文由人工智能协助翻译。更多信息，请参见我们的使用条款。