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Applied Materials Anuncia que a Samsung Electronics irá juntar-se ao novo Centro EPIC, de vários bilhões de dólares, no Vale do Silício

Applied Materials, Inc.

Qua, 11 de fevereiro de 2026 às 6:25 AM PST 4 min de leitura

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Applied Materials, Inc.

_O EPIC fornecerá programas conjuntos de P&D focados no co-desenvolvimento de inovações em engenharia de materiais que aceleram a escalabilidade de nós avançados, arquiteturas de memória futuras e integração extrema 3D_

_O novo Centro EPIC da Applied, com 5 bilhões de dólares, é o maior investimento já feito nos EUA em P&D de equipamentos semicondutores avançados, projetado para reduzir drasticamente o tempo desde a pesquisa até a comercialização em vários anos_

SANTA CLARA, Califórnia, 11 de fevereiro de 2026 (GLOBE NEWSWIRE) – A Applied Materials, Inc. anunciou hoje que a Samsung Electronics irá juntar-se ao novo Centro EPIC, de 5 bilhões de dólares, no Vale do Silício. O Centro EPIC da Applied abrirá este ano como a maior e mais avançada instalação mundial para pesquisa e desenvolvimento colaborativo de tecnologia de processos semicondutores e equipamentos de fabricação.

“A expansão global da infraestrutura de IA está impulsionando uma demanda sem precedentes por chips energeticamente eficientes,” disse Gary Dickerson, Presidente e CEO da Applied Materials. “Para acompanhar o ritmo acelerado de inovação em semicondutores, nossa indústria precisa repensar e reengenhar como colaboramos para entregar as próximas gerações de tecnologias de fabricação. A Samsung irá juntar-se à Applied Materials no Centro EPIC, onde nossas equipes trabalharão lado a lado para acelerar o caminho para levar tecnologias avançadas ao mercado mais rápido do que nunca.”

“Samsung e Applied Materials continuam a fortalecer nossa parceria de longa data para avançar tecnologias de equipamentos semicondutores de ponta,” disse Young Hyun Jun, Vice-presidente e CEO da Samsung Electronics. “Estamos ansiosos por aprofundar ainda mais a colaboração tecnológica entre nossas empresas no novo centro EPIC.”

“Com a complexidade crescente dos semicondutores avançados, o desenvolvimento paralelo de etapas-chave ao longo de todo o fluxo de processo é fundamental para impulsionar o desempenho, o rendimento e o custo dos dispositivos, e é exatamente isso que o Centro EPIC foi projetado para fazer,” disse Dr. Prabu Raja, Presidente do Grupo de Produtos de Semicondutores da Applied Materials. “É uma honra ter a Samsung Electronics como o primeiro membro fundador, e estamos entusiasmados em demonstrar as capacidades únicas do Centro EPIC como uma nova fonte de inovação para o ecossistema de semicondutores.”

Os programas de co-desenvolvimento no Centro EPIC serão projetados para acelerar o desenvolvimento e a implantação de tecnologias de semicondutores de próxima geração por meio de inovação conjunta de alta velocidade. Os programas de P&D conjuntos terão como foco novos materiais e tecnologias de processo para chips várias gerações à frente da atual. Os programas de co-desenvolvimento visam inovações atômicas para processos avançados de padronização, gravação e deposição, permitindo uma nova geração de dispositivos em chips de lógica avançada e memória.

Continuação da história  

O Centro EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) da Applied em Silicon Valley representa o maior investimento já feito nos EUA em P&D de equipamentos de semicondutores avançados, sendo projetado desde o início para reduzir drasticamente o tempo necessário para comercializar tecnologias inovadoras, desde a pesquisa inicial até a fabricação em larga escala. Isso é feito aumentando a velocidade, precisão e eficiência por meio de uma colaboração mais estreita e ciclos de aprendizagem mais rápidos.

Com mais de 16.700 metros quadrados de espaço de sala limpa de última geração para P&D colaborativa, a instalação está no caminho para estar operacional na primavera de 2026. Um ciclo tradicional de desenvolvimento de chips é um processo sequencial e compartimentalizado que pode levar de 10 a 15 anos, mas o modelo e a infraestrutura do EPIC reduzirão drasticamente esse tempo, permitindo desenvolvimento paralelo, transferências ágeis e acesso antecipado a processos de próxima geração em todo o ecossistema. Isso acelera roteiros de produtos, aumenta as taxas de sucesso comercial e amplifica o retorno sobre os investimentos em P&D.

Declarações Prospectivas
Este comunicado contém declarações prospectivas, incluindo aquelas relacionadas às estratégias de investimento e crescimento da Applied, ao desenvolvimento de novos materiais e tecnologias, às perspectivas do setor e requisitos tecnológicos, aos planos e expectativas para o Centro EPIC, e outras declarações que não são fatos históricos. Essas declarações e suas premissas subjacentes estão sujeitas a riscos e incertezas e não garantem desempenho futuro. Fatores que podem fazer os resultados reais diferirem significativamente incluem, entre outros: a demanda por semicondutores e requisitos tecnológicos dos clientes; a capacidade de desenvolver novas e inovadoras tecnologias; a capacidade de obter e proteger direitos de propriedade intelectual em tecnologias-chave; a capacidade de atingir os objetivos do centro EPIC; e outros riscos e incertezas descritos nos registros da Applied na Securities and Exchange Commission, incluindo os formulários mais recentes 10-K, 10-Q e 8-K. Todas as declarações prospectivas baseiam-se nas estimativas, projeções e suposições atuais da gestão, e a Applied não assume obrigação de atualizá-las.

Sobre a Applied Materials
A Applied Materials, Inc. (Nasdaq: AMAT) é líder em soluções de engenharia de materiais que estão na base de praticamente todos os novos semicondutores e displays avançados do mundo. A tecnologia que criamos é essencial para avançar a IA e acelerar a comercialização de chips de próxima geração. Na Applied, impulsionamos os limites da ciência e engenharia para entregar inovações materiais que mudam o mundo. Saiba mais em www.appliedmaterials.com.

Contato:
Ricky Gradwohl (editorial/mídia) 408.235.4676
Mike Sullivan (comunidade financeira) 408.986.7977

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