Investing.com -- Navitas Semiconductor（ナスダック上場コード：NVTS）の株価が20％急騰しました。同社は、AIデータセンターやエネルギーインフラ向けに設計された2つの新型炭化ケイ素（SiC）MOSFETパッケージ製品を発表しました。同社は、第五世代のGeneSiC溝付き平面SiC MOSFET技術プラットフォームを採用したトップ冷却型QDPAKパッケージと低プロファイルのTO-247-4Lパッケージを導入しました。これらの製品はどちらも1200Vの電圧定格を持ち、高電力密度の用途に対応しています。第五世代の技術は、RDS,ON × QGDの品質因数で35％の改善を実現し、QGD/QGS比率は前世代比で約25％向上しています。この技術の閾値電圧は3Vを超え、寄生導通を防止します。QDPAKパッケージの占有面積は15mm x 21mm、高さは2.3mmで、パッケージ上部からの放熱が可能です。この設計は最大1000VRMSの用途をサポートし、爬電距離は5mmです。低プロファイルのTO-247-4-LPパッケージは、AIデータセンターの電源などの高さ制限のある用途により小さな垂直スペースを提供します。このパッケージは非対称リード設計を採用し、製造公差の向上を目的としています。同社は、導通抵抗値が6.5mΩから12mΩの4つの初期製品を発表し、いずれも定格電圧は1200Vです。これらの製品は、QDPAKとTO-247-4-LPの2つのパッケージから選択可能です。NavitasのSiC事業部門副社長兼ゼネラルマネージャーのPaul Wheelerは、「新しい封止は、限られたスペース内でより高い電力密度を実現したい顧客のニーズに応えるために開発されました」と述べています。_この記事は人工知能の支援を受けて翻訳されました。詳細については、利用規約をご覧ください。_
Navitas Semiconductor株価は新しいSiC製品の発表により20%急騰
Investing.com – Navitas Semiconductor（ナスダック上場コード：NVTS）の株価が20％急騰しました。同社は、AIデータセンターやエネルギーインフラ向けに設計された2つの新型炭化ケイ素（SiC）MOSFETパッケージ製品を発表しました。
同社は、第五世代のGeneSiC溝付き平面SiC MOSFET技術プラットフォームを採用したトップ冷却型QDPAKパッケージと低プロファイルのTO-247-4Lパッケージを導入しました。これらの製品はどちらも1200Vの電圧定格を持ち、高電力密度の用途に対応しています。
第五世代の技術は、RDS,ON × QGDの品質因数で35％の改善を実現し、QGD/QGS比率は前世代比で約25％向上しています。この技術の閾値電圧は3Vを超え、寄生導通を防止します。
QDPAKパッケージの占有面積は15mm x 21mm、高さは2.3mmで、パッケージ上部からの放熱が可能です。この設計は最大1000VRMSの用途をサポートし、爬電距離は5mmです。
低プロファイルのTO-247-4-LPパッケージは、AIデータセンターの電源などの高さ制限のある用途により小さな垂直スペースを提供します。このパッケージは非対称リード設計を採用し、製造公差の向上を目的としています。
同社は、導通抵抗値が6.5mΩから12mΩの4つの初期製品を発表し、いずれも定格電圧は1200Vです。これらの製品は、QDPAKとTO-247-4-LPの2つのパッケージから選択可能です。
NavitasのSiC事業部門副社長兼ゼネラルマネージャーのPaul Wheelerは、「新しい封止は、限られたスペース内でより高い電力密度を実現したい顧客のニーズに応えるために開発されました」と述べています。
この記事は人工知能の支援を受けて翻訳されました。詳細については、利用規約をご覧ください。