Navitas fait progresser la technologie des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) MOSFET et carbure de silicium avec une plateforme de 5ème génération

L’industrie des semi-conducteurs connaît un changement crucial dans la technologie de conversion d’énergie, et Navitas Semiconductor (Nasdaq : NVTS) mène cette transformation avec sa dernière innovation. Le 12 février 2026, la société a annoncé sa plateforme technologique GeneSiC™ de 5e génération, représentant une avancée significative dans les performances des semi-conducteurs de puissance en GaN MOSFET et carbure de silicium (SiC). Cette plateforme révolutionnaire introduit l’architecture Trench-Assisted Planar (TAP) la plus avancée de l’industrie, spécialement conçue pour répondre aux exigences exigeantes des centres de données IA, des infrastructures électriques et de l’électrification industrielle.

L’évolution de la technologie GaN MOSFET : Quoi de neuf dans la conception de 5e génération

La dernière avancée de Navitas repose sur une architecture TAP entièrement repensée, combinant la robustesse de la technologie de grille plane avec les avantages de performance des structures en tranchée dans la région source. Cette approche hybride positionne la plateforme de 5e génération comme une nouvelle référence en matière d’efficacité et de fiabilité de la conversion d’énergie.

Cette percée technique se traduit par des performances impressionnantes. La technologie SiC MOSFET de 5e génération améliore de 35 % le critère RDS,ON × QGD par rapport à la génération précédente de 1200V. Cette amélioration se traduit directement par une réduction des pertes de commutation, permettant aux étages d’alimentation de fonctionner à des températures plus basses et à des fréquences plus élevées — un avantage crucial dans les systèmes de puissance à haute densité. De plus, la plateforme affiche une amélioration d’environ 25 % du ratio QGD/QGS, ce qui accélère les temps de réponse de commutation et renforce l’immunité au bruit dans des environnements électromagnétiques complexes.

Stabilité de la commande de grille et résilience au bruit dans les systèmes de puissance modernes

L’un des aspects les plus critiques de la fiabilité des MOSFET est la stabilité de la commande de grille, notamment dans les environnements industriels et de centres de données fortement bruyants. La plateforme de 5e génération répond à ce défi avec une spécification VGS,TH ≥ 3V, garantissant une immunité robuste contre les événements parasitiques de mise sous tension. Cette tension de seuil élevée assure un comportement prévisible de la grille même en présence de perturbations électromagnétiques transitoires — une occurrence courante dans les infrastructures IA et les applications d’énergies renouvelables.

L’architecture GaN MOSFET est également améliorée par la technologie brevetée de Navitas, le « Soft Body-Diode », qui optimise la caractéristique RDS(ON) × EOSS et minimise les interférences électromagnétiques (EMI) lors des cycles de commutation à haute vitesse. Cette amélioration garantit des transitions de commutation plus fluides et une stabilité accrue du système dans divers scénarios de commutation.

Ingénierie de fiabilité : répondre aux normes industrielles pour les infrastructures critiques

Navitas a reconnu que l’amélioration des performances seule ne suffit pas pour les applications de réseau et de centres de données, qui exigent une stabilité exceptionnelle à long terme. La plateforme de 5e génération a obtenu la qualification AEC-Plus, une certification supérieure aux exigences standard de l’électronique automobile (AEC-Q101) et aux normes de fiabilité JEDEC.

Le protocole complet de tests de fiabilité comprend :

• Tests statiques prolongés : tension inverse à haute température (HTRB), tension de grille à haute température (HTGB), et test de tension inverse de grille (HTGB-R) prolongés 3 fois au-delà des durées standard
• Validation de la commutation dynamique : protocoles de tension inverse dynamique (DRB) et de commutation de grille dynamique (DGS) simulant des profils de mission à commutation rapide
• Stabilité du seuil : stabilité exceptionnelle de VGS,TH sous stress prolongé de commutation, garantissant une efficacité constante à long terme et un comportement prévisible du dispositif
• Intégrité de l’oxyde de grille : extrapolation des temps de défaillance de l’oxyde de grille dépassant 1 million d’années dans des conditions d’exploitation (18V à 175°C), offrant une marge pour les déploiements critiques
• Résilience aux rayons cosmiques : taux de défaillance exceptionnellement faible (métriques FIT), une caractéristique cruciale pour les environnements en haute altitude et à disponibilité continue comme les centres de données

Applications de marché : de l’infrastructure IA à la modernisation du réseau

La plateforme GeneSiC de 5e génération étend la gamme existante de dispositifs SiC haute tension de Navitas, qui comprend des options de 2300V et 3300V issues de la plateforme de 4e génération. Ce portefeuille hiérarchisé répond à une diversité de défis de conversion d’énergie dans plusieurs segments de marché.

Les centres de données IA font face à des demandes de conversion d’énergie sans précédent à mesure que les charges de calcul s’intensifient. La technologie SiC MOSFET de 5e génération permet des architectures d’alimentation plus efficaces avec des coûts de gestion thermique réduits. La modernisation du réseau et l’intégration des énergies renouvelables bénéficient également d’une efficacité et d’une fiabilité accrues, car les systèmes de conversion doivent fonctionner en continu sous des charges variables. Les applications d’électrification industrielle — de l’infrastructure de recharge des véhicules électriques aux entraînements de moteurs industriels — dépendent de la robustesse et de l’efficacité que cette génération de dispositifs GaN MOSFET et SiC offre.

Positionnement stratégique dans le paysage des semi-conducteurs

Paul Wheeler, vice-président et directeur général de l’unité d’affaires SiC de Navitas, a souligné l’engagement de l’entreprise : « Nos clients repoussent les limites de la conversion d’énergie dans les centres de données IA et les infrastructures énergétiques, et Navitas progresse à leurs côtés à chaque étape. »

Cette sortie de 5e génération reflète la stratégie plus large de Navitas dans la technologie des semi-conducteurs à large bandegap. La société combine ses puces GaNFast™ GaN éprouvées avec ses dispositifs de pointe GeneSiC™ SiC, créant un portefeuille complet de solutions d’alimentation. Avec plus de 300 brevets délivrés ou en instance et la certification CarbonNeutral®, Navitas s’est imposée comme un leader technologique engagé à la fois dans l’innovation et la durabilité.

L’entreprise a indiqué que d’autres produits utilisant cette plateforme technologique de 5e génération seront annoncés dans les mois à venir, suggérant une expansion de la gamme de produits en phase avec l’évolution des besoins des clients dans les secteurs de l’IA et de l’énergie.