Dans la vague de transformation vers les nouvelles énergies, la technologie des semi-conducteurs de puissance devient le point focal de la compétition internationale. En tant que composant clé de la conversion d’énergie, les actions liées au concept IGBT attirent de plus en plus l’attention des investisseurs. Ces entreprises bénéficient non seulement de la croissance explosive de l’industrie des véhicules électriques, mais aussi de leur position stratégique dans le domaine des nouvelles énergies. Alors, quelles sont réellement la valeur d’investissement et les risques ou opportunités liés aux actions du concept IGBT ? Cet article analysera cela sous plusieurs angles.
Qu’est-ce que précisément une action du concept IGBT ? La valeur centrale des puces de puissance
L’IGBT, ou Transistor Bipolaire à Grille Isolée (Insulated Gate Bipolar Transistor), est un membre important de la famille des semi-conducteurs de puissance. En termes simples, il agit comme un « interrupteur intelligent » dans le domaine de l’énergie, capable, sous contrôle logiciel, d’ouvrir et de fermer des dizaines de milliers de fois par seconde, convertissant avec précision le courant continu en courant alternatif, tout en réalisant des tâches telles que l’amplification de puissance, le contrôle et la protection.
Grâce à ses caractéristiques de haute densité de puissance, fiabilité élevée, vitesse de commutation rapide et faible consommation d’énergie, l’IGBT est devenu indispensable dans les domaines des véhicules électriques, du transport ferroviaire, des réseaux électriques intelligents, des équipements de nouvelles énergies, de l’électronique grand public, etc. Dans la structure de coût d’un véhicule électrique, la batterie représente la dépense la plus importante, suivie de près par l’IGBT, qui détermine en grande partie l’efficacité énergétique et la performance globale du véhicule. Par exemple, une voiture électrique équipée de puces IGBT avancées peut accélérer facilement à 100 km/h en 3 secondes, illustrant l’optimisation de l’efficacité de conversion d’énergie par la puce de puissance.
Ainsi, les actions liées au concept IGBT désignent généralement les entreprises cotées couvrant la chaîne de fabrication des semi-conducteurs de puissance, de la conception, la fabrication, l’emballage, le test jusqu’à la vente. Ces entreprises maîtrisent soit la technologie centrale, soit contrôlent des maillons clés de la chaîne d’approvisionnement, disposant ainsi d’une forte capacité de négociation et d’un potentiel de croissance.
Leader mondial vs nouvelle étoile taïwanaise : le paysage du marché des actions du concept IGBT
Au niveau mondial, le secteur des semi-conducteurs de puissance est longtemps dominé par des entreprises européennes, américaines, japonaises et sud-coréennes. Infineon, Mitsubishi Electric, Onsemi, Fuji Electric, ABB, etc., contrôlent plus de 70 % du marché mondial, formant une barrière concurrentielle difficile à franchir. Ces géants internationaux adoptent généralement un modèle intégré « conception + fabrication + emballage + vente », avec une forte réserve technologique et un avantage de premier arrivé.
Sur le marché américain, les actions liées à l’industrie IGBT incluent principalement des entreprises dans la conception, la fabrication de puces et les équipements en amont :
AMD, Intel (INTC), Broadcom (AVGO), NVIDIA, TSMC, Qualcomm (QCOM), etc., ont tous une implication dans le domaine des puces de puissance ou des secteurs connexes. En 2023, AMD a vu son cours doubler, illustrant les opportunités d’investissement dans la semiconducteur ; Intel, après plusieurs années de déclin, commence à se redresser avec une hausse annuelle proche de 70 % ; Broadcom a également performé remarquablement, passant de moins de 600 dollars à plus de 1000 dollars.
Les fabricants taïwanais de semi-conducteurs de puissance se concentrent davantage sur les applications. Avec le développement rapide des véhicules électriques et des équipements de nouvelles énergies, une série de fabricants de composants clés a émergé dans la chaîne d’approvisionnement taïwanaise. Maosil (2342) s’investit activement dans les composants de puissance pour véhicules, avec des revenus atteignant de nouveaux sommets ces dernières années ; Qiangmao (2481) se concentre sur les diodes de rectification et les matériaux électroniques de précision ; Fuding (8261) a établi une position solide dans l’électronique grand public et l’industrie. Bien que ces actions taïwanaises du concept IGBT soient de taille plus modeste comparées aux géants mondiaux, elles ont trouvé leurs avantages compétitifs dans des applications spécifiques.
Pourquoi s’intéresser aux actions du concept IGBT ? Trois moteurs clés
Une croissance continue du marché, avec un potentiel énorme. De 2012 à 2021, la taille du marché mondial des IGBT est passée de 3,2 milliards de dollars à 7,09 milliards de dollars, avec un taux de croissance annuel composé de 6,6 %. Selon le cabinet de recherche international YOLE, avec la demande croissante dans les domaines des équipements de nouvelles énergies, véhicules électriques, contrôle industriel, etc., le marché mondial des IGBT pourrait atteindre 9,3 milliards de dollars d’ici 2027. La demande dans les véhicules électriques et le contrôle industriel représente la majorité (respectivement 28 % et 37 %), suivie par la production d’énergie renouvelable et la commutation dans l’électroménager.
Une barrière technologique naturelle. En tant que semi-conducteur de puissance haut de gamme, l’IGBT présente une difficulté de R&D élevée, avec des barrières technologiques et de brevets profondes. Cela signifie que peu d’entreprises maîtrisent la technologie centrale, limitant la compétition à une poignée d’acteurs, ce qui confère aux actions du concept IGBT une forte capacité de protection des profits. Si les fabricants taïwanais parviennent à faire des avancées dans la nouvelle génération de technologies de puces de puissance, ils pourront partager une part plus importante des profits.
Le soutien politique favorise le développement de l’industrie. Les gouvernements du monde entier multiplient leurs politiques de soutien aux véhicules électriques, au photovoltaïque, à l’éolien, etc. Ces politiques créent un effet de levier qui stimule directement la demande pour l’IGBT, offrant un environnement de croissance stable pour les actions du concept. À l’avenir, avec la progression des objectifs de neutralité carbone, l’industrie des nouvelles énergies continuera de bénéficier de ces politiques.
Risques et opportunités clés pour les actions du concept IGBT
Risques principaux, regroupés en trois défis :
Premièrement, la maîtrise des technologies avancées reste principalement entre les mains des entreprises européennes, américaines, japonaises et sud-coréennes. Si la chaîne d’approvisionnement internationale se dégrade ou si la situation géopolitique devient tendue, les fabricants taïwanais pourraient faire face à des difficultés pour accéder à la technologie ou aux matières premières. Deuxièmement, les nouvelles technologies de semi-conducteurs de puissance comme le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) gagnent en maturité, représentant une menace de substitution pour les produits traditionnels d’IGBT. Si les fabricants taïwanais ne parviennent pas à intégrer ces nouvelles technologies dans leur chaîne d’approvisionnement, ils risquent de perdre des parts de marché. Troisièmement, après une hausse significative ces dernières années, la valorisation des actions du concept IGBT a connu une correction, mais il faut rester vigilant face à un possible emballement spéculatif.
Opportunités, quant à elles, restent prometteuses :
Les fabricants taïwanais de semi-conducteurs de puissance se tournent activement vers les secteurs des nouvelles énergies et des véhicules électriques. Avec l’expansion du marché des IGBT, il est probable que les géants mondiaux externalisent davantage leur production, ce qui ouvre des opportunités pour la chaîne d’approvisionnement taïwanaise. De plus, dans une optique géopolitique, les pays occidentaux cherchent à diversifier leur dépendance à un seul fournisseur, créant ainsi une fenêtre stratégique pour la croissance des entreprises taïwanaises.
Comment cibler précisément les actions du concept IGBT ? Guide d’investissement
Pour les investisseurs intéressés par les actions du concept IGBT, voici quelques stratégies de placement :
Investissement direct dans le marché taïwanais. Les entreprises taïwanaises liées aux semi-conducteurs de puissance sont toutes cotées à la Bourse de Taïwan. Il suffit d’avoir un compte bancaire et un compte de courtage taïwanais pour acheter directement ces actions. C’est la méthode la plus simple, adaptée à ceux qui connaissent bien les fondamentaux des entreprises.
Trading avec effet de levier via CFD. Le contrat pour différence (CFD) est un produit dérivé financier avec effet de levier, permettant de spéculer sur la hausse ou la baisse des prix futurs des actions. Les investisseurs peuvent ainsi prendre position à la hausse ou à la baisse, avec un risque et un rendement accrus.
Diversification via des ETF liés. Pour les investisseurs moins tolérants au risque, l’achat d’ETF suivant l’indice électronique taïwanais ou l’indice des semi-conducteurs taïwanais est une option plus sûre. Ces ETF regroupent plusieurs actions du concept IGBT, réduisant ainsi le risque spécifique à une seule entreprise.
Il faut noter que la performance individuelle des actions du concept IGBT peut varier considérablement. Certaines ont connu des corrections importantes ces dernières années, ce qui peut offrir de bonnes opportunités d’entrée à des niveaux de valorisation plus faibles. L’investisseur doit choisir en fonction de sa tolérance au risque, de son horizon d’investissement et de ses connaissances.
Perspectives : la logique d’investissement à long terme dans les actions du concept IGBT
Les facteurs moteurs, tels que la croissance continue des véhicules électriques, du photovoltaïque, de l’éolien, etc., ne changent pas, créant une base de demande durable pour les produits de semi-conducteurs de puissance, notamment l’IGBT. Bien que la volatilité à court terme soit inévitable, la croissance à moyen et long terme reste solide.
Pour l’allocation dans ces actions, une stratégie « suivre la tendance » est recommandée : dans un contexte favorable à l’industrie, saisir les opportunités lors des corrections de prix, tout en choisissant des outils d’investissement adaptés à sa situation. Avec l’approfondissement de la chaîne taïwanaise de semi-conducteurs de puissance dans le secteur des nouvelles énergies, les actions du concept IGBT resteront une orientation d’investissement à surveiller à long terme dans les années à venir.
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Faites briller les actions liées au concept d'IGBT : les opportunités d'investissement à l'ère des nouvelles énergies
Dans la vague de transformation vers les nouvelles énergies, la technologie des semi-conducteurs de puissance devient le point focal de la compétition internationale. En tant que composant clé de la conversion d’énergie, les actions liées au concept IGBT attirent de plus en plus l’attention des investisseurs. Ces entreprises bénéficient non seulement de la croissance explosive de l’industrie des véhicules électriques, mais aussi de leur position stratégique dans le domaine des nouvelles énergies. Alors, quelles sont réellement la valeur d’investissement et les risques ou opportunités liés aux actions du concept IGBT ? Cet article analysera cela sous plusieurs angles.
Qu’est-ce que précisément une action du concept IGBT ? La valeur centrale des puces de puissance
L’IGBT, ou Transistor Bipolaire à Grille Isolée (Insulated Gate Bipolar Transistor), est un membre important de la famille des semi-conducteurs de puissance. En termes simples, il agit comme un « interrupteur intelligent » dans le domaine de l’énergie, capable, sous contrôle logiciel, d’ouvrir et de fermer des dizaines de milliers de fois par seconde, convertissant avec précision le courant continu en courant alternatif, tout en réalisant des tâches telles que l’amplification de puissance, le contrôle et la protection.
Grâce à ses caractéristiques de haute densité de puissance, fiabilité élevée, vitesse de commutation rapide et faible consommation d’énergie, l’IGBT est devenu indispensable dans les domaines des véhicules électriques, du transport ferroviaire, des réseaux électriques intelligents, des équipements de nouvelles énergies, de l’électronique grand public, etc. Dans la structure de coût d’un véhicule électrique, la batterie représente la dépense la plus importante, suivie de près par l’IGBT, qui détermine en grande partie l’efficacité énergétique et la performance globale du véhicule. Par exemple, une voiture électrique équipée de puces IGBT avancées peut accélérer facilement à 100 km/h en 3 secondes, illustrant l’optimisation de l’efficacité de conversion d’énergie par la puce de puissance.
Ainsi, les actions liées au concept IGBT désignent généralement les entreprises cotées couvrant la chaîne de fabrication des semi-conducteurs de puissance, de la conception, la fabrication, l’emballage, le test jusqu’à la vente. Ces entreprises maîtrisent soit la technologie centrale, soit contrôlent des maillons clés de la chaîne d’approvisionnement, disposant ainsi d’une forte capacité de négociation et d’un potentiel de croissance.
Leader mondial vs nouvelle étoile taïwanaise : le paysage du marché des actions du concept IGBT
Au niveau mondial, le secteur des semi-conducteurs de puissance est longtemps dominé par des entreprises européennes, américaines, japonaises et sud-coréennes. Infineon, Mitsubishi Electric, Onsemi, Fuji Electric, ABB, etc., contrôlent plus de 70 % du marché mondial, formant une barrière concurrentielle difficile à franchir. Ces géants internationaux adoptent généralement un modèle intégré « conception + fabrication + emballage + vente », avec une forte réserve technologique et un avantage de premier arrivé.
Sur le marché américain, les actions liées à l’industrie IGBT incluent principalement des entreprises dans la conception, la fabrication de puces et les équipements en amont :
AMD, Intel (INTC), Broadcom (AVGO), NVIDIA, TSMC, Qualcomm (QCOM), etc., ont tous une implication dans le domaine des puces de puissance ou des secteurs connexes. En 2023, AMD a vu son cours doubler, illustrant les opportunités d’investissement dans la semiconducteur ; Intel, après plusieurs années de déclin, commence à se redresser avec une hausse annuelle proche de 70 % ; Broadcom a également performé remarquablement, passant de moins de 600 dollars à plus de 1000 dollars.
Les fabricants taïwanais de semi-conducteurs de puissance se concentrent davantage sur les applications. Avec le développement rapide des véhicules électriques et des équipements de nouvelles énergies, une série de fabricants de composants clés a émergé dans la chaîne d’approvisionnement taïwanaise. Maosil (2342) s’investit activement dans les composants de puissance pour véhicules, avec des revenus atteignant de nouveaux sommets ces dernières années ; Qiangmao (2481) se concentre sur les diodes de rectification et les matériaux électroniques de précision ; Fuding (8261) a établi une position solide dans l’électronique grand public et l’industrie. Bien que ces actions taïwanaises du concept IGBT soient de taille plus modeste comparées aux géants mondiaux, elles ont trouvé leurs avantages compétitifs dans des applications spécifiques.
Pourquoi s’intéresser aux actions du concept IGBT ? Trois moteurs clés
Une croissance continue du marché, avec un potentiel énorme. De 2012 à 2021, la taille du marché mondial des IGBT est passée de 3,2 milliards de dollars à 7,09 milliards de dollars, avec un taux de croissance annuel composé de 6,6 %. Selon le cabinet de recherche international YOLE, avec la demande croissante dans les domaines des équipements de nouvelles énergies, véhicules électriques, contrôle industriel, etc., le marché mondial des IGBT pourrait atteindre 9,3 milliards de dollars d’ici 2027. La demande dans les véhicules électriques et le contrôle industriel représente la majorité (respectivement 28 % et 37 %), suivie par la production d’énergie renouvelable et la commutation dans l’électroménager.
Une barrière technologique naturelle. En tant que semi-conducteur de puissance haut de gamme, l’IGBT présente une difficulté de R&D élevée, avec des barrières technologiques et de brevets profondes. Cela signifie que peu d’entreprises maîtrisent la technologie centrale, limitant la compétition à une poignée d’acteurs, ce qui confère aux actions du concept IGBT une forte capacité de protection des profits. Si les fabricants taïwanais parviennent à faire des avancées dans la nouvelle génération de technologies de puces de puissance, ils pourront partager une part plus importante des profits.
Le soutien politique favorise le développement de l’industrie. Les gouvernements du monde entier multiplient leurs politiques de soutien aux véhicules électriques, au photovoltaïque, à l’éolien, etc. Ces politiques créent un effet de levier qui stimule directement la demande pour l’IGBT, offrant un environnement de croissance stable pour les actions du concept. À l’avenir, avec la progression des objectifs de neutralité carbone, l’industrie des nouvelles énergies continuera de bénéficier de ces politiques.
Risques et opportunités clés pour les actions du concept IGBT
Risques principaux, regroupés en trois défis :
Premièrement, la maîtrise des technologies avancées reste principalement entre les mains des entreprises européennes, américaines, japonaises et sud-coréennes. Si la chaîne d’approvisionnement internationale se dégrade ou si la situation géopolitique devient tendue, les fabricants taïwanais pourraient faire face à des difficultés pour accéder à la technologie ou aux matières premières. Deuxièmement, les nouvelles technologies de semi-conducteurs de puissance comme le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) gagnent en maturité, représentant une menace de substitution pour les produits traditionnels d’IGBT. Si les fabricants taïwanais ne parviennent pas à intégrer ces nouvelles technologies dans leur chaîne d’approvisionnement, ils risquent de perdre des parts de marché. Troisièmement, après une hausse significative ces dernières années, la valorisation des actions du concept IGBT a connu une correction, mais il faut rester vigilant face à un possible emballement spéculatif.
Opportunités, quant à elles, restent prometteuses :
Les fabricants taïwanais de semi-conducteurs de puissance se tournent activement vers les secteurs des nouvelles énergies et des véhicules électriques. Avec l’expansion du marché des IGBT, il est probable que les géants mondiaux externalisent davantage leur production, ce qui ouvre des opportunités pour la chaîne d’approvisionnement taïwanaise. De plus, dans une optique géopolitique, les pays occidentaux cherchent à diversifier leur dépendance à un seul fournisseur, créant ainsi une fenêtre stratégique pour la croissance des entreprises taïwanaises.
Comment cibler précisément les actions du concept IGBT ? Guide d’investissement
Pour les investisseurs intéressés par les actions du concept IGBT, voici quelques stratégies de placement :
Investissement direct dans le marché taïwanais. Les entreprises taïwanaises liées aux semi-conducteurs de puissance sont toutes cotées à la Bourse de Taïwan. Il suffit d’avoir un compte bancaire et un compte de courtage taïwanais pour acheter directement ces actions. C’est la méthode la plus simple, adaptée à ceux qui connaissent bien les fondamentaux des entreprises.
Trading avec effet de levier via CFD. Le contrat pour différence (CFD) est un produit dérivé financier avec effet de levier, permettant de spéculer sur la hausse ou la baisse des prix futurs des actions. Les investisseurs peuvent ainsi prendre position à la hausse ou à la baisse, avec un risque et un rendement accrus.
Diversification via des ETF liés. Pour les investisseurs moins tolérants au risque, l’achat d’ETF suivant l’indice électronique taïwanais ou l’indice des semi-conducteurs taïwanais est une option plus sûre. Ces ETF regroupent plusieurs actions du concept IGBT, réduisant ainsi le risque spécifique à une seule entreprise.
Il faut noter que la performance individuelle des actions du concept IGBT peut varier considérablement. Certaines ont connu des corrections importantes ces dernières années, ce qui peut offrir de bonnes opportunités d’entrée à des niveaux de valorisation plus faibles. L’investisseur doit choisir en fonction de sa tolérance au risque, de son horizon d’investissement et de ses connaissances.
Perspectives : la logique d’investissement à long terme dans les actions du concept IGBT
Les facteurs moteurs, tels que la croissance continue des véhicules électriques, du photovoltaïque, de l’éolien, etc., ne changent pas, créant une base de demande durable pour les produits de semi-conducteurs de puissance, notamment l’IGBT. Bien que la volatilité à court terme soit inévitable, la croissance à moyen et long terme reste solide.
Pour l’allocation dans ces actions, une stratégie « suivre la tendance » est recommandée : dans un contexte favorable à l’industrie, saisir les opportunités lors des corrections de prix, tout en choisissant des outils d’investissement adaptés à sa situation. Avec l’approfondissement de la chaîne taïwanaise de semi-conducteurs de puissance dans le secteur des nouvelles énergies, les actions du concept IGBT resteront une orientation d’investissement à surveiller à long terme dans les années à venir.