NVIDIA ne peut plus le supporter ! NVIDIA s'associe à Samsung pour développer des NAND maison, les fabricants de mémoire axés sur la capacité seront-ils éliminés ?

Beaucoup ne réalisent pas que le rôle de l’industrie de la mémoire est en train de subir une transformation fondamentale. Autrefois, le géant GPU Nvidia n’était qu’un grand acheteur de mémoire, mais il se tourne désormais vers une position plus avancée dans la chaîne industrielle : participer directement à la conception des puces de stockage de prochaine génération. Selon un média sud-coréen, Samsung a établi une collaboration avec Nvidia pour développer conjointement la mémoire NAND Flash de nouvelle génération. À l’avenir, la mémoire ne sera plus un produit standardisé, mais un composant clé conçu sur mesure pour l’architecture IA.

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Nvidia accélère la développement de ses puces IA d’un facteur 10 000

Des sources indiquent que le centre de recherche de Samsung Semiconductor, Nvidia et une équipe de recherche de l’Institut de technologie de Géorgie ont conjointement développé un modèle d’IA appelé Physics-Informed Neural Operator (PINO). Ce système peut analyser les performances des nouvelles dispositifs de mémoire NAND, avec une vitesse plus de 10 000 fois supérieure aux méthodes de simulation traditionnelles.

Dans la recherche en semi-conducteurs, les ingénieurs utilisent généralement un outil de simulation appelé TCAD (Technology Computer-Aided Design) pour tester la conception des puces. Cependant, cette méthode nécessite souvent environ 60 heures par opération, limitant gravement l’efficacité de la R&D. En combinant lois physiques et réseaux neuronaux, l’équipe a permis à l’IA de comprendre le comportement physique des matériaux et des dispositifs, réduisant le temps de simulation à moins de 10 secondes. Ces résultats ont été publiés dans la communauté scientifique internationale.

L’arme secrète de Samsung : NAND ferroelectrique

La technologie clé de cette collaboration est une nouvelle technique de stockage basée sur un matériau appelé ferroelectrique. La caractéristique du matériau ferroelectrique est qu’il peut maintenir l’état de polarisation positive ou négative même sans alimentation électrique continue, permettant de stocker des informations avec une consommation d’énergie extrêmement faible. Samsung est un leader dans ce domaine. Fin 2025, une étude publiée dans la revue Nature indique que la consommation d’énergie du NAND ferroelectrique pourrait être réduite d’environ 96 % par rapport au NAND traditionnel.

Cela signifie qu’à l’avenir, les systèmes IA pourront accéder à de grandes quantités de données tout en réduisant considérablement leur consommation d’énergie.

Les fabricants de mémoire qui se contentent d’augmenter leur capacité sans innover seront éliminés ?

Cette collaboration marque une nouvelle étape dans la compétition pour la mémoire IA. Par le passé, Nvidia soutenait principalement l’IA GPU en achetant de la mémoire à haute bande passante (HBM) et du NAND. Désormais, ils ont décidé de développer leur propre mémoire dédiée. Avec la croissance explosive des modèles IA, l’architecture de stockage devient une partie intégrante de la conception des systèmes IA. Peut-être que dans le futur, les puces mémoire ne seront plus simplement des composants universels, mais des « modules d’architecture » conçus spécifiquement pour les systèmes IA.

Selon le Bureau coréen de la propriété intellectuelle (KIPO), la Corée détient actuellement 43,1 % des brevets mondiaux liés à la ferroelectricité, dont 27,8 % sont détenus uniquement par Samsung.

Cet article, « Nvidia ne peut plus supporter ! Nvidia s’associe à Samsung pour développer sa propre NAND, les fabricants de mémoire axés uniquement sur la capacité seront éliminés ? », est initialement paru sur Chain News ABMedia.