ارتفعت أسهم شركة Navitas Semiconductor بنسبة 20% بعد إصدارها لمنتج سيليكون كربيد (SiC) جديد

Investing.com – ارتفعت أسهم شركة Navitas Semiconductor (رمز NASDAQ: NVTS) بنسبة 20%، بعد أن أعلنت الشركة عن إطلاق منتجين جديدين من عبوات الموشفت السيليكون الكربوني، المصممة خصيصًا لمراكز البيانات المعتمدة على الذكاء الاصطناعي والبنية التحتية للطاقة.

أطلقت الشركة عبوة QDPAK المبردة من الأعلى، والتي تعتمد على منصة تقنية الجيل الخامس GeneSiC ذات القنوات المساعدة من نوع SiC MOSFET، وعبوة TO-247-4L ذات الملف الشخصي المنخفض. كلا المنتجين يتحملان جهدًا بقيمة 1200 فولت، ويستهدفان التطبيقات ذات الكثافة العالية للطاقة.

حققت التقنية من الجيل الخامس تحسينًا بنسبة 35% في معايير RDS,ON × QGD، وزاد نسبة QGD/QGS بحوالي 25% مقارنة بالأجيال السابقة. وتبلغ جهد العتبة لهذه التقنية أكثر من 3 فولت، مما يمنع التشغيل التطفلي.

تبلغ مساحة عبوة QDPAK 15 ملم × 21 ملم، وارتفاعها 2.3 ملم، ويمكن تبريدها من الأعلى. يدعم التصميم تطبيقات تصل إلى 1000 VRMS، مع مسافة التهرب الكهربائي (爬电距离) تبلغ 5 ملم.

أما عبوة TO-247-4-LP ذات الملف الشخصي المنخفض، فهي توفر مساحة عمودية أصغر للتطبيقات ذات القيود على الارتفاع، مثل مصادر الطاقة لمراكز البيانات المعتمدة على الذكاء الاصطناعي. تستخدم هذه العبوة تصميمًا غير متماثل للخطوط، بهدف تحسين تفاوت التصنيع.

أطلقت الشركة أربع منتجات أولية، تتراوح مقاومة التشغيل بين 6.5 مللي أوم و12 مللي أوم، وتتحمل جهدًا بقيمة 1200 فولت. تتوفر هذه المنتجات في عبوتي QDPAK وTO-247-4-LP.

قال Paul Wheeler، نائب رئيس قسم أعمال السيليكون الكربوني ومديرها العام في شركة Navitas: إن العبوات الجديدة جاءت استجابة لاحتياجات العملاء لتحقيق كثافة طاقة أعلى في المساحات المحدودة.

تمت الترجمة بمساعدة الذكاء الاصطناعي. لمزيد من المعلومات، يرجى الاطلاع على شروط الاستخدام الخاصة بنا.